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> 메시지 > 마이크론 싱가포르, 3D NAND 플래시 팹 확장 완료

마이크론 싱가포르, 3D NAND 플래시 팹 확장 완료

싱가포르에서 Micron의 3D NAND 플래시 메모리 팹 확장은 어제 (14 일) 공식적으로 완료되었습니다. Micron은 이것이 5G, 인공 지능 (AI) 및 자율 주행과 같은 영역에서의 고객 요구에 대한 대응 전략이며 Micron의 싱가포르 플래시 메모리 제조 산업의 변화를위한 중요한 레이아웃이라고 지적했습니다.

싱가포르는 Micron의 플래시 메모리 생산을위한 중요한 기반입니다. 대만과 일본은 동적 랜덤 액세스 메모리 (DRAM) 생산의 초점입니다. 최근 수년간 Micron은 아시아에 대한 투자를 확대했습니다. 일본은 계속해서 고급 DRAM 공정을 홍보하고 타이 중에 Micron의 첫 3D DRAM 패키징 공장을 건설합니다. 그리고 Taichung 및 Taoyuan DRAM 공장은 Micron의 DRAM Center of Excellence로 건설되었습니다. 마이크론은 또한 대만의 DRAM 제조 규모를 확대하겠다고 약속했다. 관련 계획은 검토를 위해 중국 과학 기술 관리국 대만 지사에 제출되었습니다. 정부가 토지, 물, 전기와 같은 문제를 해결하는 데 도움이되기를 바랍니다.

이 새로운 공장은 Micron의 NAND Center of Excellence에 속해 있으며, 싱가포르의 인프라 및 기술 전문 지식에 대한 장기 투자를 활용하여 클린 룸 및 스위칭 프로세스를 확장하여 3D NANDFlash로 발전시킬 것입니다.

Micron Sanjay Mehrotra의 사장 겸 CEO는 어제 Micron 고객, 공급 업체, 유통 업체, 학계 지도자, 지역 사회 파트너, Micron 팀 구성원 및 500 명 이상을 포함한 지방 정부 관리, 싱가포르 부총리 및 재무 장관을 포함하여 개회식을 주최했습니다. 왕 Ruijie도 행사에 참석했다.

Sanjay Mehrotrad에 따르면, Micron NAND Excellence Center는 최첨단 지능형 제조 기능으로 설계되어 여러 세대의 3D NAND 변환을위한 확장을 제공합니다. 싱가포르의 현지 공급 업체, 대학 및 정부 기관과의 지속적인 협력, 혁신 및 성공을 기대하면서 그는 Micron의 확장 계획을 확장 한 관련 파트너 및 부서에 감사했습니다.

Micron은 싱가포르에 새로운 공장을 건설하는 것은 5G, AI 및 자율 주행 분야의 고객 요구에 부응하여 3D NANDFlash 기술의 고급 노드를 기술적으로 변형 한 것이며 Micron의 미래 성장 모멘텀을 향상 시킨다고 강조합니다.